Parallel Products

Parallel STT-MRAM 제품군

NETSOL 병렬 MRAM 제품은 STT-MRAM의 비휘발성, 사실상 무제한의 내구성, 빠른 쓰기 특성으로 인해 

데이터와 프로그램을 빠르게 자주 저장하고 검색해야 하는 애플리케이션에 이상적입니다.


산업용 기기의 코드 스토리지, 데이터 로깅, 백업 및 작업용 메모리에 적합하며 탁월한 성능과 비휘발성 특성으로

저전력 SRAM, FeRAM, nvSRAM 등을 대체할 수 있습니다.

핵심 특성

  • 용량 : 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb 
  • 전원 공급 : 1.8V (1.71V ~ 1.98V) or 3.3V (2.7V ~ 3.6V)
  • Parallel asynchronous 인터페이스 x16/x8 I/O
  • 데이터 보존기간 : 10년
  • 읽기 내구성 : 무한대
  • 쓰기 내구성 : 1014
  • 외부 ECC가 필요 없음
  • 패키지 : 48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2

Product List

Density
Part Number
Organization
VDD(V)
Access Time(ns)
Temperature
Package
Status
Data Sheet
4M bit
S3R4016V1M
256Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008V1M
512Kx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
4M bit
S3R4016R1M
256Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008R1M
512Kx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016V1M
512Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008V1M
1Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016R1M
512Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008R1M
1Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616V1M
1Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608V1M
2Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616R1M
1Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608R1M
2Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
32M bit
S3R3216V1M
2Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R3216R1M
2Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
64M bit
S3R6416V1M
4Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
ES
S3R6416R1M
4Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
ES

* ES : Engineer Sample, UD : Under Development

* If you require 1Mb or 2Mb density, please make a separate request.

S3Rxxxxx1M_Application_Note_rev1.1

자세한 사항은 sales@netsol.co.kr 로 문의 바랍니다.