Parallel Products

Parallel STT-MRAM 系列

Netsol的 Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。

对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。

 

适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。

可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性

核心特征

  • 容量 : 4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
  • 电源供应 ：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
  • Parallel 异步接口 x16/x8 I/O
  • 数据保存期 ：10年
  • 读取耐力 ：无限
  • 擦写耐力 : 1014
  • 无需外部ECC
  • 封装 ：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2

Product List

Density
Part Number
Organization
VDD(V)
Access Time(ns)
Temperature
Package
Status
Data Sheet
4M bit
S3R4016V1M
256Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008V1M
512Kx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
4M bit
S3R4016R1M
256Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008R1M
512Kx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016V1M
512Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008V1M
1Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016R1M
512Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008R1M
1Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616V1M
1Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608V1M
2Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616R1M
1Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608R1M
2Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
32M bit
S3R3216V1M
2Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R3216R1M
2Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
64M bit
S3R6416V1M
4Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
ES
S3R6416R1M
4Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
ES

* ES : Engineer Sample, UD : Under Development

* If you require 1Mb or 2Mb density, please make a separate request.

S3Rxxxxx1M_Application_Note_rev1.1

详情请联系 sales@netsol.co.kr 垂询。